研究论文
Science of dry etching of III-V materials
S. J. Pearton, F. Ren
AT&T (United States) Nokia (United States)
来源Journal of Materials Science Materials in Electronics
年份1994
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摘要与影响
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逐年被引趋势
210
12
213
15
16
17
关键指标
15
被引次数 · OpenAlex
0.92
领域内被引倍数
同类平均 = 1
同类平均 = 1
前 28%
引用位次
同领域 · 同年份 · 同类型
同领域 · 同年份 · 同类型
76
参考文献
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学术脉络
学科主题
工程Semiconductor materials and devices
Ion-surface interactions and analysis · Nanowire Synthesis and Applications
参考文献 76
InP and Related Compounds
被引 24Mahmoud Omar Manasreh · 2000
Plasma etching : an introduction
被引 496D. Manos, Daniel Flamm · 1989
Sputtering by Particle Bombardment III
被引 2,219E Hauffe, W O Hofer, K. Wittmaack · Topics in applied physics · 1991
此处列出前 3 条
引用本文 15
Amorphous and Polycrystalline Photoconductors for Direct Conversion Flat Panel X-Ray Image Sensors
被引 518Safa Kasap, J. Frey, George Belev · Sensors · 2011
The design and application of electron cyclotron resonance discharges
被引 65J. Asmussen, T.A. Grotjohn, Peng Un Mak · IEEE Transactions on Plasma Science · 1997
Inductively coupled plasma etching of III–V semiconductors in BCl3-based chemistries
被引 51Tatsuro Maeda, J.W Lee, R. J. Shul · Applied Surface Science · 1999
按被引量排序，此处列出前 3 条