研究论文
Characterization of 4H-SiC (0001) surface processed by plasma-assisted polishing
Hui Yong Deng, Masaki Ueda, Kazuya Yamamura
The University of Osaka
来源The International Journal of Advanced Manufacturing Technology
年份2012
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摘要与影响
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逐年被引趋势
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关键指标
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被引次数 · OpenAlex
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领域内被引倍数
同类平均 = 1
同类平均 = 1
前 30%
引用位次
同领域 · 同年份 · 同类型
同领域 · 同年份 · 同类型
15
参考文献
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学术脉络
学科主题
材料 / 化学Diamond and Carbon-based Materials Research
Advanced Surface Polishing Techniques · Metal and Thin Film Mechanics
参考文献 15
Nanoindentation hardness of particles used in magnetorheological finishing (MRF)
被引 51Aric Shorey, Kevin M. Kwong, Kerry M. Johnson · Applied Optics · 2000
Damage-Free Dry Polishing of 4H-SiC Combined with Atmospheric-Pressure Water Vapor Plasma Oxidation
被引 29Hui Yong Deng, Tatsuya Takiguchi, Masaki Ueda · Japanese Journal of Applied Physics · 2011
Hybrid polishing mechanism of single crystal SiC using mixed abrasive slurry (MAS)
被引 98Hyunseop Lee, D.I. Kim, Jingyan An · CIRP Annals · 2010
此处列出前 3 条
引用本文 56
Electro-chemical mechanical polishing of single-crystal SiC using CeO2 slurry
被引 162Hui Yong Deng, Kenji Hosoya, Yusuke Imanishi · Electrochemistry Communications · 2015
Chemical mechanical planarization (CMP) of on-axis Si-face SiC wafer using catalyst nanoparticles in slurry
被引 140Yan Zhou, Guoshun Pan, Xiao‐Lei Shi · Surface and Coatings Technology · 2014
Chemical–Mechanical Polishing of 4H Silicon Carbide Wafers
被引 132Wantang Wang, Xuesong Lu, Xinke Wu · Advanced Materials Interfaces · 2023
按被引量排序，此处列出前 3 条