研究论文
Photoluminescence Spectra of Stacking Defects in 4H-SiC Crystals
Б.Г. Атабаев, Kh. N. Juraev, Z. Sh. Shaymardanov, R.R. Jalolov, Ш.З. Уролов
Academy of Sciences Republic of Uzbekistan Tashkent Institute of Irrigation and Agricultural Mechanization Engineers National University of Uzbekistan
来源Journal of Applied Spectroscopy
年份2025
内容与影响
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逐年被引趋势
110
126
关键指标
1
被引次数 · OpenAlex
0.46
领域内被引倍数
同类平均 = 1
同类平均 = 1
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引用位次
同领域 · 同年份 · 同类型
同领域 · 同年份 · 同类型
28
参考文献
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学术脉络
学科主题
工程Silicon Carbide Semiconductor Technologies
Silicon Nanostructures and Photoluminescence · Silicon and Solar Cell Technologies
参考文献 28
Silicon Carbide Microsystems for Harsh Environments
被引 190Muthu B. J. Wijesundara, Robert Azevedo · MEMS reference shelf/MEMS reference Shelf · 2011
Enhanced Channel Modulation in Dual-Gated Silicon Nanowire Transistors
被引 145Sang-Mo Koo, Qiliang Li, Monica D. Edelstein · Nano Letters · 2005
Characterization of stacking faults in 4H-SiC epilayers by room-temperature microphotoluminescence mapping
被引 131Gan Feng, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto · Applied Physics Letters · 2008
此处列出前 3 条
施引文献 1
Photoluminescence, stacking faults, and carrier transport in n-type 3C-SiC/Si(100) structures grown by endotaxial HT-CVD
被引 1B.G. Atabaev, M. V. Dolgopolov, Kh.N. Juraev · Micro and Nanostructures · 2026
按被引量排序，此处列出前 3 条