研究论文
Effects of process parameter variations on the removal rate in chemical mechanical polishing of 4H-SiC
Craig L. Neslen, W. C. Mitchel, R. L. Hengehold
United States Air Force Research Laboratory U.S. Air Force Institute of Technology
来源Journal of Electronic Materials
年份2001
内容与影响
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逐年被引趋势
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关键指标
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被引次数 · OpenAlex
0.62
领域内被引倍数
同类平均 = 1
同类平均 = 1
前 31%
引用位次
同领域 · 同年份 · 同类型
同领域 · 同年份 · 同类型
14
参考文献
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学术脉络
学科主题
工程Advanced Surface Polishing Techniques
Diamond and Carbon-based Materials Research · Advanced machining processes and optimization
参考文献 14
Properties of Silicon Carbide
被引 834Gary Harris, Inspec · 1995
Infrared-absorption spectroscopy of Si(100) and Si(111) surfaces after chemomechanical polishing
被引 59G. J. Pietsch, Yves J. Chabal, G. S. Higashi · Journal of Applied Physics · 1995
The effect of the polishing pad treatments on the chemical-mechanical polishing of SiO2 films
被引 86Weidan Li, Dong Wook Shin, M. Tomozawa · Thin Solid Films · 1995
此处列出前 3 条
施引文献 97
Ultraprecision CMP for sapphire, GaN, and SiC for advanced optoelectronics materials
被引 259Hideo Aida, Toshiro Doi, Hidetoshi Takeda · Current Applied Physics · 2012
Plasma assisted polishing of single crystal SiC for obtaining atomically flat strain-free surface
被引 217Kazuya Yamamura, Tatsuya Takiguchi, Masaki Ueda · CIRP Annals · 2011
Chemical–Mechanical Polishing of 4H Silicon Carbide Wafers
被引 123Wantang Wang, Xuesong Lu, Xinke Wu · Advanced Materials Interfaces · 2023
按被引量排序，此处列出前 3 条