研究论文
Effects of process parameter variations on the removal rate in chemical mechanical polishing of 4H-SiC
Craig L. Neslen, William C. Mitchel, Robert L. Hengehold
United States Air Force Research Laboratory Wright-Patterson Air Force Base U.S. Air Force Institute of Technology
来源Journal of Electronic Materials
年份2001
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摘要与影响
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逐年被引趋势
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关键指标
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被引次数 · OpenAlex
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领域内被引倍数
同类平均 = 1
同类平均 = 1
前 31%
引用位次
同领域 · 同年份 · 同类型
同领域 · 同年份 · 同类型
14
参考文献
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学术脉络
学科主题
工程Advanced Surface Polishing Techniques
Silicon Carbide Semiconductor Technologies · Advanced machining processes and optimization
参考文献 14
Properties of Silicon Carbide
被引 831Gary L. Harris, Inspec · 1995
Infrared-absorption spectroscopy of Si(100) and Si(111) surfaces after chemomechanical polishing
被引 58Georg J. Pietsch, Yves Jean Chabal, Gregg S. Higashi · Journal of Applied Physics · 1995
The effect of the polishing pad treatments on the chemical-mechanical polishing of SiO2 films
被引 85Weidan Li, Dong Wook Shin, M. Tomozawa · Thin Solid Films · 1995
此处列出前 3 条
引用本文 96
Ultraprecision CMP for sapphire, GaN, and SiC for advanced optoelectronics materials
被引 260Hideo Aida, Toshiro Doi, Hidetoshi Takeda · Current Applied Physics · 2012
Plasma assisted polishing of single crystal SiC for obtaining atomically flat strain-free surface
被引 219Kazuya Yamamura, Tatsuya Takiguchi, Masaki Ueda · CIRP Annals · 2011
Chemical–Mechanical Polishing of 4H Silicon Carbide Wafers
被引 134Wantang Wang, Xuesong Lu, Xinke Wu · Advanced Materials Interfaces · 2023
按被引量排序，此处列出前 3 条