研究论文
Coupled Degradation Behavior in a Monolithically Integrated GaN Power Chip Under Load Dump Stress
Huangtao Zeng, Chao Yang, Zhiyuan He, Yijun Shi, Liang He, G. Lu, Yuan Chen, Xinghuan Chen 等 10 位
Guangdong University of Technology China Electronic Product Reliability and Environmental Test Institute University of Electronic Science and Technology of China China Resources (China)
来源Journal of Electronic Materials
年份2026
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学术脉络
学科主题
物理GaN-based semiconductor devices and materials
Silicon Carbide Semiconductor Technologies · Semiconductor materials and devices
参考文献 30
Improving high frequency DC-DC converter performance with monolithic half bridge GaN ICs
被引 59David Reusch, Johan Strydom, John Glaser · 2015
Kinetics of Buffer-Related RON-Increase in GaN-on-Silicon MIS-HEMTs
被引 113Davide Bisi, Matteo Meneghini, Fabio Alessio Marino · IEEE Electron Device Letters · 2014
Breakdown mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs: An overview
被引 160Gaudenzio Meneghesso, Matteo Meneghini, Enrico Zanoni · Japanese Journal of Applied Physics · 2014
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