研究论文
TCAD simulation study of dual ferroelectric gate field-effect transistors with a recessed channel geometry for non-volatile memory applications
Simin Chen, Dae-Hwan Ahn, Seong Ui An, Tae Hyeon Noh, Younghyun Kim
Hanyang University Korea Institute of Science and Technology
来源Journal of the Korean Physical Society
年份2024
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引用位次
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28
参考文献
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学术脉络
学科主题
工程Ferroelectric and Negative Capacitance Devices
Semiconductor materials and devices · Advanced Memory and Neural Computing
参考文献 28
Novel Fabrication Process to Realize Ultra-Thin (EOT=0.7 nm) and Ultra-Low-Leakage SiON Gate Dielectrics
被引 2Daisuke Matsushita · 2006
High-K materials and metal gates for CMOS applications
被引 788John D. Robertson, Robert Milo Wallace · Materials Science and Engineering R Reports · 2014
Physics of the ferroelectric nonvolatile memory field effect transistor
被引 505S. L. Miller, Paul J. McWhorter · Journal of Applied Physics · 1992
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引用本文 1
Analysis of spatial distribution of remnant polarization in inverted staggered a-IGZO/HZO ferroelectric thin-film transistor using capacitance-voltage characteristics
被引 0Hwan Jin Kim, Hyojin Yang, Haesung Kim · Solid-State Electronics · 2026
按被引量排序，此处列出前 3 条