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The growth of resonant tunneling hot electron transistors using chemical beam epitaxy

W.L. Chen, G.O. Munns, L. Davis, P. Bhattacharya, G.I. Haddad

University of Michigan

来源Journal of Crystal Growth

年份1994

DOI10.1016/0022-0248(94)90382-4

原文https://doi.org/10.1016/0022-0248(94)90382-4

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学术脉络

学科主题

物理

Semiconductor Quantum Structures and Devices

Semiconductor materials and devices · Quantum and electron transport phenomena

参考文献 9

Growth of GaAs/AlGaAs HBTs by MOMBE (CBE)

C. R. Abernathy, F. Ren, S. J. Pearton · Journal of Crystal Growth · 1992

被引 16

High reflectivity 1.55 μm InP/InGaAsP Bragg mirror grown by chemical beam epitaxy

Fow‐Sen Choa, K. Tai, W. T. Tsang · Applied Physics Letters · 1991

被引 45

InAlAs/InGaAs/InP sub-micron HEMTs grown by CBE

G.O. Munns, M.E. Sherwin, T. Brock · Journal of Crystal Growth · 1992

被引 5

此处列出前 3 条

引用本文 6

Tunneling devices and applications in high functionality/speed digital circuits

G.I. Haddad, Pinaki Mazumder · Solid-State Electronics · 1997

被引 20

Future Semiconductor Devices for Multi-Valued Logic Circuit Design

Supriya Karmakar, F. Jain · Materials Sciences and Applications · 2012

被引 12

Influence of hydride purity on InP and InAlAs grown by chemical beam epitaxy

G.O. Munns, W.L. Chen, M.E. Sherwin · Journal of Crystal Growth · 1994

被引 4

按被引量排序，此处列出前 3 条