研究论文
Anisotropic deformation and material removal mechanisms of p-type 4H-SiC
Yanwei Yang, Shuai Liu, Lijun Ma, Mengying Zhu, Xinyi Wang, Chen Yang, Bing-Feng Ju, Chaoqun Dang
Zhejiang University
来源Acta Materialia
年份2026
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关键指标
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领域内被引倍数
同类平均 = 1
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引用位次
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参考文献
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学术脉络
学科主题
工程Silicon Carbide Semiconductor Technologies
Advanced ceramic materials synthesis · Boron and Carbon Nanomaterials Research
参考文献 59
Surface defects and accompanying imperfections in 4H–SiC: Optical, structural and electrical characterization
被引 62Bin Chen, Hirofumi Matsuhata, Takashi Sekiguchi · Acta Materialia · 2011
Structural difference between near interface oxides grown on Si and C faces of 4H-SiC characterized by infrared spectroscopy
被引 32Hirohisa Hirai, Koji Kita · Applied Physics Letters · 2013
Anisotropy of chemical mechanical polishing in silicon carbide substrates
被引 68Xiufang Chen, Xiangang Xu, Xiaobo Hu · Materials Science and Engineering B · 2007
此处列出前 3 条
引用本文 1
Stage-wise material removal and crystallographic mechanisms of single crystal CaF2 during progressive scratching
被引 0Zhenting Zhang, Lingwen Tan, Xianqun Yang · Journal of Materials Research and Technology · 2026
按被引量排序，此处列出前 3 条