研究论文

Doping profiling of beveled Si wafers via UV-micro Raman spectroscopy

Dario Mastrippolito, Stefano Palleschi, S. Tosti, L. Ottaviano

University of L'Aquila

来源Applied Surface Science

年份2021

DOI10.1016/j.apsusc.2021.150824

原文https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2021.150824

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学术脉络

学科主题

工程

Integrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis

Semiconductor materials and devices · Ion-surface interactions and analysis

参考文献 49

Visible and ultraviolet Raman scattering studies of Si1−xGex alloys

M. Holtz, W. M. Duncan, Stefan Zollner · Journal of Applied Physics · 2000

被引 108

Electronics and communications

Luc Soete · Gower eBooks · 1985

被引 39

Comprehensive 2D-carrier profiling of low-doping region by high-sensitivity scanning spreading resistance microscopy (SSRM) for power device applications

Li Zhang, M. Koike, Mizuki Ono · Microelectronics Reliability · 2015

被引 6

此处列出前 3 条

引用本文 4

Intense and stable room-temperature photoluminescence from nanoporous vanadium oxide formed by in-ambient degradation of VI3 crystals

Dario Mastrippolito, Hanna Świątek, Paolo Moras · Journal of Luminescence · 2022

被引 8

Correlative Raman–Voltage Microscopy Revealing the Localized Structure–Stress Relationship in Silicon Solar Cells

Tianyu Lan, Tianyi Zhao, Yan Liu · ACS Nano · 2025

被引 7

Off-axis Raman spectroscopy for nanoscale stress metrology

Zoheb Khan, Thomas Nuytten, Paola Favia · Journal of Applied Physics · 2022

被引 4

按被引量排序，此处列出前 3 条

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逐年被引趋势

210

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同领域 · 同年份 · 同类型

参考文献

Google Scholar 与 OpenAlex 的被引统计范围不同，数值存在差异属正常。