研究论文

Balancing bulk defect generation and field-dependent charge yield in proton-irradiated a-InSnZnO TFTs via dielectrics thickness

Zhaozhao Yang, 罗财旺, Wenjing Qin, Rui He, Yawei Lv, Lei Liao, Changzhong Jiang

Hunan Normal University　Beijing Zhongke Science and Technology (China)　Hunan University

来源Applied Surface Science

年份2026

DOI10.1016/j.apsusc.2026.167161

原文https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2026.167161

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Thin-Film Transistor Technologies

ZnO doping and properties · Transition Metal Oxide Nanomaterials

参考文献 38

Evolution of Total Ionizing Dose Effects in MOS Devices With Moore’s Law Scaling

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被引 130

Proton-induced displacement damage in ZnO thin film transistors: Impact of damage location

Kosala Yapabandara, Vahid Mirkhani, Shiqiang Wang · Microelectronics Reliability · 2018

被引 9

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