研究论文
Pressure-regulated oxidation–removal behavior of 4H-SiC during KMnO4-based chemical mechanical polishing: first-principles and experimental insights
Keming Huang, Xin Song, Shize Cheng, Zhigang Dong, Zhijun Chen
Dalian University of Technology
来源Ceramics International
年份2026
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学术脉络
学科主题
工程Advanced Surface Polishing Techniques
Silicon Carbide Semiconductor Technologies · Advanced ceramic materials synthesis
参考文献 46
Contact Mechanics
被引 8,223K. L. Johnson · Cambridge University Press eBooks · 1985
Performance of colloidal silica and ceria based slurries on CMP of Si-face 6H-SiC substrates
被引 125Guomei Chen, Zifeng Ni, Laijun Xu · Applied Surface Science · 2015
A chemical and theoretical way to look at bonding on surfaces
被引 845Roald Hoffmann · Reviews of Modern Physics · 1988
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