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Annealing effect of surface-activated bonded diamond/Si interface
Jianbo Liang, Yan Zhou, Satoshi Masuya, Filip Gucmann, Manikant Singh, James W. Pomeroy, Seongwoo Kim, Martin Kuball 等 10 位
Osaka City University University of Bristol Saga University
来源Diamond and Related Materials
年份2019
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摘要与影响
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逐年被引趋势
950
19
20
21
22
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24
925
26
关键指标
50
被引次数 · OpenAlex
1.91
领域内被引倍数
同类平均 = 1
同类平均 = 1
前 14%
引用位次
同领域 · 同年份 · 同类型
同领域 · 同年份 · 同类型
37
参考文献
Google Scholar 与 OpenAlex 的被引统计范围不同，数值存在差异属正常。
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学术脉络
学科主题
材料 / 化学Diamond and Carbon-based Materials Research
3D IC and TSV technologies · Advanced Surface Polishing Techniques
参考文献 37
Properties and growth of diamond
被引 224Gordon Davies, Inspec · 1994
Diamond Schottky-pn diode with high forward current density and fast switching operation
被引 89Toshiharu Makino, Satoshi Tanimoto, Yusuke Hayashi · Applied Physics Letters · 2009
High Carrier Mobility in Single-Crystal Plasma-Deposited Diamond
被引 1,324Jan Isberg, Johan Hammersberg, Erik Johansson · Science · 2002
此处列出前 3 条
引用本文 50
Fabrication of GaN/Diamond Heterointerface and Interfacial Chemical Bonding State for Highly Efficient Device Design
被引 127Jianbo Liang, Ayaka Kobayashi, Yasuo Shimizu · Advanced Materials · 2021
(Ultra)wide bandgap semiconductor heterostructures for electronics cooling
被引 60Zhe Cheng, Zifeng Huang, Jinchi Sun · Applied Physics Reviews · 2024
High Thermal Stability and Low Thermal Resistance of Large Area GaN/3C‐SiC/Diamond Junctions for Practical Device Processes
被引 57Ryo Kagawa, Zhe Cheng, Keisuke Kawamura · Small · 2023
按被引量排序，此处列出前 3 条