研究论文
Low-leakage and high on/off current ratio vertical β-Ga2O3 Schottky barrier diodes induced by interface nitrogen doping
M T Long, Zhonglin Sun, Jialong Lin, Zifan Hong, Shubo Wei, Yu Huang, Feng Zhang, Weifeng Yang
Xiamen University Xiamen University of Technology
来源Journal of Alloys and Compounds
年份2026
阅读操作
确认中在文库中上传 PDF 后可生成中文音频讲解。
摘要与影响
摘要 · 节选
暂未获取摘要。可打开原文或 PDF，后续可基于全文生成更完整的速读。
逐年被引趋势
暂无年度引用数据
关键指标
0
被引次数 · OpenAlex
0.00
领域内被引倍数
同类平均 = 1
同类平均 = 1
前 88%
引用位次
同领域 · 同年份 · 同类型
同领域 · 同年份 · 同类型
28
参考文献
Google Scholar 与 OpenAlex 的被引统计范围不同，数值存在差异属正常。
AI 辅助阅读
依据：文献信息
论文问答
当前基于文献信息回答
可就本文提问；依据不足时会说明。
学术脉络
学科主题
材料 / 化学Ga2O3 and related materials
GaN-based semiconductor devices and materials · Thin-Film Transistor Technologies
参考文献 28
IVT measurements of GaN power Schottky diodes with drift layers grown by HVPE on HVPE GaN substrates
被引 21Randy P. Tompkins, Mohammad Rezaul Huque Khan, R. Green · Journal of Materials Science Materials in Electronics · 2016
Temperature-dependent capacitance–voltage and current–voltage characteristics of Pt/Ga2O3 (001) Schottky barrier diodes fabricated on n––Ga2O3 drift layers grown by halide vapor phase epitaxy
被引 345Masataka Higashiwaki, Keita Konishi, Kohei Sasaki · Applied Physics Letters · 2016
A Comparative Study on the Electrical Properties of Vertical ( $\bar{\sf2}01$ ) and (010) $\beta$ -Ga 2 O 3 Schottky Barrier Diodes on EFG Single-Crystal Substrates
被引 116Houqiang Fu, Hong Chen, Xuanqi Huang · IEEE Transactions on Electron Devices · 2018
此处列出前 3 条
引用本文 -
暂无引用本文的记录