研究论文
Growth and phase stabilization of HfO2 thin films by ALD using novel precursors
Jaakko Niinistö, Miia Mäntymäki, Kaupo Kukli, Leila Costelle, Esa Puukilainen, Mikko Ritala, Markku Leskelä
University of Helsinki University of Tartu
来源Journal of Crystal Growth
年份2009
阅读操作
确认中在文库中上传 PDF 后可生成中文音频讲解。
摘要与影响
摘要 · 节选
暂未获取摘要。可打开原文或 PDF，后续可基于全文生成更完整的速读。
逐年被引趋势
950
17
18
19
20
921
22
23
24
25
26
关键指标
87
被引次数 · OpenAlex
3.17
领域内被引倍数
同类平均 = 1
同类平均 = 1
前 9%
引用位次
同领域 · 同年份 · 同类型
同领域 · 同年份 · 同类型
25
参考文献
Google Scholar 与 OpenAlex 的被引统计范围不同，数值存在差异属正常。
AI 辅助阅读
依据：文献信息
论文问答
当前基于文献信息回答
可就本文提问；依据不足时会说明。
学术脉络
学科主题
工程Semiconductor materials and devices
Ferroelectric and Negative Capacitance Devices · Copper Interconnects and Reliability
参考文献 25
The effect of dopants on the dielectric constant of HfO2 and ZrO2 from first principles
被引 187Dominik Fischer, Alfred Kersch · Applied Physics Letters · 2008
HfO[sub 2] Films Grown by ALD Using Cyclopentadienyl-Type Precursors and H[sub 2]O or O[sub 3] as Oxygen Source
被引 43Jaakko Niinistö, Matti Putkonen, Lauri Niinistö · Journal of The Electrochemical Society · 2006
Tailoring the dielectric properties of HfO2–Ta2O5 nanolaminates
被引 224Kaupo Kukli, Jarkko Ihanus, Mikko Ritala · Applied Physics Letters · 1996
此处列出前 3 条
引用本文 87
Crystallinity of inorganic films grown by atomic layer deposition: Overview and general trends
被引 1,408Ville Miikkulainen, Markku Leskelä, Mikko Ritala · Journal of Applied Physics · 2013
Atomic layer deposition and other thin film deposition techniques: from principles to film properties
被引 188James Ayodele Oke, Tien‐Chien Jen · Journal of Materials Research and Technology · 2022
‘Old Chemistries’ for new applications: Perspectives for development of precursors for MOCVD and ALD applications
被引 181Anjana Devi · Coordination Chemistry Reviews · 2013
按被引量排序，此处列出前 3 条