研究论文
A kinetic analysis of nitrogen incorporation characteristics in 4H-SiC epitaxial layers
J Wang, Weiliang Zhong, Bingchen Li, Le Yu, Zihan Li, Rui Jin
来源Journal of Crystal Growth
年份2026
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学术脉络
学科主题
工程Silicon Carbide Semiconductor Technologies
Diamond and Carbon-based Materials Research · Silicon and Solar Cell Technologies
参考文献 24
Nitrogen incorporation characteristics on a 4H-SiC epitaxial layer
被引 17Kazutoshi Kojima, Satoshi Kuroda, Hajime Okumura · Applied Physics Letters · 2006
Mechanism of n-doping of silicon carbide epitaxial films
被引 6A. Fiorucci, Davide Moscatelli, Maurizio Masi · Journal of Crystal Growth · 2007
Adsorption of N-containing species onto SiC(0001) surfaces: A theoretical study
被引 11J. Olander, K. M. E. Larsson · Physical review. B, Condensed matter · 2003
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