研究论文
Optical spectroscopy study of damage induced in nitrogen-doped 6H-SiC by neutron irradiation
Xin Li, Xinyue Yan, Defeng Liu, Xujie Hao, Quangui Zhang, Quangui Zhang, Zhu Fei, Cuihong Wang 等 11 位
Commercial Aircraft Corporation of China (China) Tianjin Chengjian University
来源Journal of Luminescence
年份2025
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学术脉络
学科主题
工程Silicon Carbide Semiconductor Technologies
Semiconductor materials and devices · Integrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis
参考文献 49
Recovery behavior of high purity cubic SiC polycrystals by post-irradiation annealing up to 1673 K after low temperature neutron irradiation
被引 19Mohd Idzat Idris, Saishun Yamazaki, Katsumi Yoshida · Journal of Nuclear Materials · 2015
Temperature-dependent Raman property of n-type SiC
被引 5Ru Han, Fan Xiao-Ya, Yang Yin-Tang · Acta Physica Sinica · 2010
<i>Ab initio</i>study of the annealing of vacancies and interstitials in cubic SiC: Vacancy-interstitial recombination and aggregation of carbon interstitials
被引 208Michel Bockstedte, Alexander Mattausch, Oleg Pankratov · Physical Review B · 2004
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施引文献 -
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