研究论文
Electron transport across ultrathin ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 films on Si
Anastasia Chouprik, Аnna G. Chernikova, Andrey M. Markeev, Vitalii Mikheev, D. V. Negrov, Maxim Spiridonov, Sergei Zarubin, A. Zenkevich
Moscow Institute of Physics and Technology
来源Microelectronic Engineering
年份2017
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摘要与影响
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逐年被引趋势
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关键指标
72
被引次数 · OpenAlex
3.16
领域内被引倍数
同类平均 = 1
同类平均 = 1
前 8%
引用位次
同领域 · 同年份 · 同类型
同领域 · 同年份 · 同类型
12
参考文献
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学术脉络
学科主题
工程Ferroelectric and Negative Capacitance Devices
MXene and MAX Phase Materials · Semiconductor materials and devices
参考文献 12
Ferroelectricity in hafnium oxide thin films
被引 2,806T. S. Böscke, Johannes Müller, D. Bräuhaus · Applied Physics Letters · 2011
Theoretical current-voltage characteristics of ferroelectric tunnel junctions
被引 436H. Kohlstedt, N. A. Pertsev, J. Rodrı́guez Contreras · Physical Review B · 2005
Electronic band alignment and electron transport in Cr/BaTiO3/Pt ferroelectric tunnel junctions
被引 80A. Zenkevich, M. Minnekaev, Yu. Matveyev · Applied Physics Letters · 2013
此处列出前 3 条
引用本文 72
Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films: A Review of Recent Advances
被引 357Si Joon Kim, Jaidah Mohan, Scott R. Summerfelt · JOM · 2018
Improved Ferroelectric Switching Endurance of La-Doped Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films
被引 332Аnna G. Chernikova, Maxim G. Kozodaev, Dmitry Negrov · ACS Applied Materials & Interfaces · 2017
Ferroelectric Tunneling Junctions Based on Aluminum Oxide/ Zirconium-Doped Hafnium Oxide for Neuromorphic Computing
被引 204Hojoon Ryu, Haonan Wu, Fubo Rao · Scientific Reports · 2019
按被引量排序，此处列出前 3 条