研究论文

Lifetime prediction and analysis of AlGaN/GaN HEMT devices under temperature stress

Baozhu Wang, Jinyuan Zhao, Ming Zhang, Lin Yang, Jianchao Wang, Weimin Hou

Hebei University of Science and Technology

来源Microelectronics Journal

年份2022

DOI10.1016/j.mejo.2022.105370

原文https://doi.org/10.1016/j.mejo.2022.105370

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420

424

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参考文献

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学术脉络

学科主题

物理

GaN-based semiconductor devices and materials

Silicon Carbide Semiconductor Technologies · Photocathodes and Microchannel Plates

参考文献 13

GaN transistors for efficient power conversion : the eGaN FET journey continues

Alex Lidow, Strydom Johan, Michael de Rooij · 2011

被引 21

Reliability of Electronic Components

G.W.A. Dummer · Electronics and Power · 1966

被引 8

Investigation on the thermal behavior of microwave GaN HEMTs

Giovanni Crupi, Gustavo Avolio, Antonio Raffo · Solid-State Electronics · 2011

被引 40

此处列出前 3 条

引用本文 14

Temperature-Dependent Thermal Impedance Measurement of GaN-Based HEMTs Using Transient Thermoreflectance

Xiang Zheng, James W. Pomeroy, Gautam Jindal · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024

被引 19

Real-time channel temperature monitoring of p-GaN HEMTs based on gate leakage current

Luqiao Yin, Shuang Wu, Kailin Ren · Microelectronics Journal · 2024

被引 9

A novel life prediction method of RF circuits based on the improved recurrent broad learning system

Kunping Wu, Bing Long, Zhiyuan Bu · Measurement · 2024

被引 5

按被引量排序，此处列出前 3 条