研究论文
Simulation study on a single-event burnout hardened shielded gate trench MOSFET with a P-type buried layer
Rubin Xie, Xinyu Tang, Jiawei Ding, Haiming Xu, Xin Zhou, Bo Zhang, Ming Qiao
Xidian University China Electronics Technology Group Corporation National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials
来源Microelectronics Journal
年份2026
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学术脉络
学科主题
工程Radiation Effects in Electronics
Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design · Semiconductor materials and devices
参考文献 20
Effects of Radiation on Commercial Power Devices
被引 12Luis E. Selva, Heidi N. Becker, Rosa Chavez · 2006
A review of the techniques used for modeling single-event effects in power MOSFETs
被引 115G.H. Johnson, J.M. Palau, C. Dachs · IEEE Transactions on Nuclear Science · 1996
Radiation-induced off-state leakage current in commercial power MOSFETs
被引 36J. Félix, M.R. Shaneyfelt, P.E. Dodd · IEEE Transactions on Nuclear Science · 2005
此处列出前 3 条
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