研究论文
Nickel silicides in semiconductor processing: thermal budget considerations
Sundar Ramamurthy, Рамачандран Баласубраманиан, Jeong Soo Byun, Tarpan Dixit, Aaron Hunter, Rajesh Ramanujam
Applied Materials (United States)
来源Materials Science and Engineering B
年份2004
阅读操作
确认中在文库中上传 PDF 后可生成中文音频讲解。
摘要与影响
摘要 · 节选
暂未获取摘要。可打开原文或 PDF，后续可基于全文生成更完整的速读。
逐年被引趋势
210
12
23
225
关键指标
7
被引次数 · OpenAlex
0.42
领域内被引倍数
同类平均 = 1
同类平均 = 1
前 38%
引用位次
同领域 · 同年份 · 同类型
同领域 · 同年份 · 同类型
8
参考文献
Google Scholar 与 OpenAlex 的被引统计范围不同，数值存在差异属正常。
AI 辅助阅读
依据：文献信息
论文问答
当前基于文献信息回答
可就本文提问；依据不足时会说明。
学术脉络
学科主题
物理Semiconductor materials and interfaces
Semiconductor materials and devices · Copper Interconnects and Reliability
参考文献 8
NiSi salicide technology for scaled CMOS
被引 316Hiroshi Iwai, Tatsuya Ohguro, Shun-ichiro Ohmi · Microelectronic Engineering · 2002
Nickel-based contact metallization for SiGe MOSFETs: progress and challenges
被引 102S.-L. Zhang · Microelectronic Engineering · 2003
Improved NiSi salicide process using presilicide N/sub 2//sup +/ implant for MOSFETs
被引 33Pooi See Lee, K. L. Pey, D. Mangelinck · IEEE Electron Device Letters · 2000
此处列出前 3 条
引用本文 7
A novel two step metallization of Ni/Cu for low concentrator c-Si solar cells
被引 41Vikrant A. Chaudhari, Chetan Singh Solanki · Solar Energy Materials and Solar Cells · 2010
Thermodynamic mechanism of nickel silicide nanowire growth
被引 13Joondong Kim · Applied Physics Letters · 2012
Suppression of high-resistance phases of Ni silicide by Se passivation of Si(100)
被引 5Janadass Shanmugam, Jinggang Zhu, Yuqing Xu · IEEE Transactions on Electron Devices · 2006
按被引量排序，此处列出前 3 条