研究论文
Mitigation of bipolar degradation in 4H-SiC power devices using engineered SiC substrates
Endong Zhang, Alexis Drouin, F. Allibert, Marcin Zieliński, Shunta Harada, Masashi Kato
Nagoya Institute of Technology Soitec (France) Nagoya University
来源Materials Science in Semiconductor Processing
年份2026
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学术脉络
学科主题
工程Silicon Carbide Semiconductor Technologies
GaN-based semiconductor devices and materials · Silicon and Solar Cell Technologies
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