研究论文

Atomic-Scale Dynamics of Strain-Driven Sn Segregation in GeSn Alloys

YiXin Wang, Hongcheng Jiang, Tao Wang, Han Yang, XiYan Chang, Chi Xu, Huixiong Deng, Chunlai Xue

Peking University　Chinese Academy of Sciences　Institute of Semiconductors　University of Chinese Academy of Sciences

来源Nano Energy

年份2026

DOI10.1016/j.nanoen.2026.112509

原文https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2026.112509

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学科主题

物理

Semiconductor materials and interfaces

Semiconductor materials and devices · Photonic and Optical Devices

参考文献 42

α-Sn and β-Sn precipitates in annealed epitaxial Si0.95Sn0.05

M. F. Fyhn, J. Chevallier, Arne Nylandsted Larsen · Physical review. B, Condensed matter · 1999

被引 28

Density functional theory calculations of stability and diffusion mechanisms of impurity atoms in Ge crystals

Takahiro Maeta, Koji Sueoka · Journal of Applied Physics · 2014

被引 17

Generalized Gradient Approximation Made Simple

John P. Perdew, Kieron Burke, Matthias Ernzerhof · Physical Review Letters · 1996

被引 215,465

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