研究论文
Study of changes in surface composition and morphology of GaAs irradiated with different energies protons
Xueting Liu, Binghuang Duan, Haoxiang Xue, Ashan Ejaz, Tieshan Wang
Lanzhou University China Academy of Engineering Physics
来源Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B Beam Interactions with Materials and Atoms
年份2025
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参考文献
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学术脉络
学科主题
工程Ion-surface interactions and analysis
Advanced Semiconductor Detectors and Materials · Photocathodes and Microchannel Plates
参考文献 47
Low-temperature growth of InxGa1−xN films by radio-frequency magnetron sputtering
被引 16Jian Wang, Xu Shi, Jie Zhu · Applied Surface Science · 2012
Fabrication of GaAs Devices
被引 139Albert G. Baca, Carol I. H. Ashby · Institution of Engineering and Technology eBooks · 2005
Properties of gallium arsenide
被引 343Inspec, M.R. Brozel, G. E. Stillman · Medical Entomology and Zoology · 1996
此处列出前 3 条
引用本文 1
Structural, optical and surface modifications of GaAs(O):Cr induced by electron irradiation
被引 0M.Yu. Tashmetov, Khabibulla Djangabaev · Physica B Condensed Matter · 2026
按被引量排序，此处列出前 3 条