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Laplace deep level transient spectroscopy: Embodiment and evolution
Anthony R. Peaker, Vladimir P. Markevich, Ian D. Hawkins, B. Hamilton, K. Bonde Nielsen, Krzysztof Goscinski
University of Manchester Aarhus University Institute of Physics Polish Academy of Sciences
来源Physica B Condensed Matter
年份2011
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关键指标
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领域内被引倍数
同类平均 = 1
同类平均 = 1
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引用位次
同领域 · 同年份 · 同类型
同领域 · 同年份 · 同类型
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参考文献
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学术脉络
学科主题
物理Semiconductor materials and interfaces
Semiconductor materials and devices · Silicon and Solar Cell Technologies
参考文献 19
Tikhonovs regularization method for ill-posed problems
被引 265Josef Honerkamp, Jürgen Weese · Continuum Mechanics and Thermodynamics · 1990
A correlation method for semiconductor transient signal measurements
被引 154G. L. Miller, J. V. Ramirez, D. A. H. Robinson · Journal of Applied Physics · 1975
Optimization of the energy resolution of deep level transient spectroscopy
被引 31David D. Nolte, E. E. Häller · Journal of Applied Physics · 1987
此处列出前 3 条
引用本文 20
Tutorial: Junction spectroscopy techniques and deep-level defects in semiconductors
被引 133Anthony R. Peaker, Vladimir P. Markevich, José Coutinho · Journal of Applied Physics · 2018
Investigation of defects in indium doped TiO 2 thin films using electrical and optical techniques
被引 17Noor Alhuda Al Saqri, Aniruddha Mondal, Jorlandio F. Felix · Journal of Alloys and Compounds · 2016
Electric‐Field Enhancement of Electron Emission Rates for Deep‐Level Traps in n‐type GaN
被引 15Vladimir P. Markevich, Matthew P. Halsall, Lijie Sun · physica status solidi (b) · 2022
按被引量排序，此处列出前 3 条