研究论文

Enhancing ultra-thin-barrier AlGaN/GaN HEMTs with LPCVD SiN passivation for high-power applications

Jui-Sheng Wu, Chen-Hsi Tsai, You‐Chen Weng, Edward Yi Chang

National Yang Ming Chiao Tung University

来源Solid-State Electronics

年份2025

DOI10.1016/j.sse.2025.109260

原文https://doi.org/10.1016/j.sse.2025.109260

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学术脉络

学科主题

物理

GaN-based semiconductor devices and materials

Semiconductor Quantum Structures and Devices · Semiconductor materials and devices

参考文献 19

Robust SiN<sub><italic>x</italic></sub>/AlGaN Interface in GaN HEMTs Passivated by Thick LPCVD-Grown SiN<sub><italic>x</italic></sub> Layer

Xinhua Wang, Sen Huang, Yingkui Zheng · IEEE Electron Device Letters · 2015

被引 76

Effects of tensile stress induced by silicon nitride passivation on electrical characteristics of AlGaN∕GaN heterostructure field-effect transistors

Chang Min Jeon, Jong‐Lam Lee · Applied Physics Letters · 2005

被引 81

Enhancement and depletion mode GaN/AlGaN heterostructure field effect transistors

M. Asif Khan, Q. Chen, C. J. Sun · Applied Physics Letters · 1996

被引 178

此处列出前 3 条

引用本文 1

Review on ultrathin-barrier AlGaN(<6 nm)/GaN enhancement-mode technology: concept, device fabrication, and integration prospects

Sen Huang, Yang Zheng, Kaiwei Zhang · Journal of Physics D Applied Physics · 2026

被引 0

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