综述
Depth carrier profiling in silicon carbide
L. Calcagno, V. Raineri
Istituto Nazionale per la Fisica della Materia Institute for Microelectronics and Microsystems
来源Current Opinion in Solid State and Materials Science
年份2002
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摘要与影响
摘要 · 节选
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逐年被引趋势
110
112
13
17
18
24
25
26
关键指标
10
被引次数 · OpenAlex
0.14
领域内被引倍数
同类平均 = 1
同类平均 = 1
前 30%
引用位次
同领域 · 同年份 · 同类型
同领域 · 同年份 · 同类型
37
参考文献
Google Scholar 与 OpenAlex 的被引统计范围不同，数值存在差异属正常。
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学术脉络
学科主题
工程Semiconductor materials and devices
Semiconductor materials and interfaces · Integrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis
参考文献 37
SCaMsim, a new three-dimensional simulation tool for Scanning Capacitance Microscopy
被引 10L. Ciampolini · AIP conference proceedings · 2001
A Spreading Resistance Technique for Resistivity Measurements on Silicon
被引 250R. G. Mazur, D. H. Dickey · Journal of The Electrochemical Society · 1966
pn -junction delineation in Si devices using scanning capacitance spectroscopy
被引 61Hal Edwards, Vladimir A. Ukraintsev, Richard San Martin · Journal of Applied Physics · 2000
此处列出前 3 条
引用本文 10
Temperature dependence of the c-axis mobility in 6H-SiC Schottky diodes
被引 21Fabrizio Roccaforte, Francesco La Via, V. Raineri · Applied Physics Letters · 2003
被引 5
The Principles and Applications of Electrical Characterization Techniques for Electrically Active Defects in 4H‐SiC Devices
被引 4Lan Luo, Yu Zhong, Kuan Yew Cheong · physica status solidi (a) · 2025
按被引量排序，此处列出前 3 条