研究论文
‘Memristive’ switches enable ‘stateful’ logic operations via material implication
Julien L. Borghetti, Gregory S. Snider, Philip J. Kuekes, J. Joshua Yang, Duncan R. Stewart, Richard Stanley Williams
Hewlett-Packard (United States) Steacie Institute for Molecular Sciences National Research Council Canada
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摘要与影响
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逐年被引趋势
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17
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17719
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关键指标
1,928
被引次数 · OpenAlex
75.14
领域内被引倍数
同类平均 = 1
同类平均 = 1
前 0.1%
引用位次
同领域 · 同年份 · 同类型
同领域 · 同年份 · 同类型
30
参考文献
Google Scholar 与 OpenAlex 的被引统计范围不同，数值存在差异属正常。
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依据：文献信息
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学术脉络
学科主题
工程Advanced Memory and Neural Computing
Ferroelectric and Negative Capacitance Devices · Phase-change materials and chalcogenides
参考文献 30
CMOL: Devices, Circuits, and Architectures
被引 200Konstantin K. Likharev, Dmitri B. Strukov · Springer eBooks · 2006
Quantum Physics Under Control
被引 417Ian A. Walmsley, HERSCHEL A. RABITZ · Physics Today · 2003
Fabrication of a 34 × 34 Crossbar Structure at 50 nm Half-pitch by UV-based Nanoimprint Lithography
被引 104Gun Young Jung, Sivapackia Ganapathiappan, Douglas A. A. Ohlberg · Nano Letters · 2004
此处列出前 3 条
引用本文 1,928
Memristive devices for computing
被引 3,884J. Joshua Yang, Dmitri B. Strukov, Duncan R. Stewart · Nature Nanotechnology · 2012
In-memory computing with resistive switching devices
被引 2,295Daniele Ielmini, H.‐S. Philip Wong · Nature Electronics · 2018
Memory devices and applications for in-memory computing
被引 2,288Abu Sebastian, Manuel Le Gallo, Riduan Khaddam-Aljameh · Nature Nanotechnology · 2020
按被引量排序，此处列出前 3 条