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Boron nitride substrates for high-quality graphene electronics
Cory R. Dean, Andrea F. Young, Inanc Meric, Chul Ho Lee, Lei Wang, Sebastian Sorgenfrei, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi 等 11 位
Columbia University Sungkyunkwan University National Institute for Materials Science
内容与影响
摘要 · 节选
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逐年被引趋势
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关键指标
7,079
被引次数 · OpenAlex
113.50
领域内被引倍数
同类平均 = 1
同类平均 = 1
前 0.1%
引用位次
同领域 · 同年份 · 同类型
同领域 · 同年份 · 同类型
36
参考文献
Google Scholar 与 OpenAlex 的被引统计范围不同，数值存在差异属正常。
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学术脉络
学科主题
材料 / 化学Graphene research and applications
Graphene and Nanomaterials Applications · Boron and Carbon Nanomaterials Research
参考文献 36
Electronic compressibility of gapped bilayer graphene
被引 12Andrea F. Young, Cory R. Dean, Inanc Meric · arXiv (Cornell University) · 2010
Substrate-induced band gap in graphene on hexagonal boron nitride:<i>Ab initio</i>density functional calculations
被引 1,528Gianluca Giovannetti, Petr A. Khomyakov, Geert Brocks · Physical Review B · 2007
Quantum Transport of Massless Dirac Fermions
被引 665Kentaro Nomura, A. H. MacDonald · Physical Review Letters · 2007
此处列出前 3 条
施引文献 7,079
Electronics and optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides
被引 16,219Qing Hua Wang, Kourosh Kalantar‐Zadeh, András Kis · Nature Nanotechnology · 2012
Single-layer MoS2 transistors
被引 14,861Branimir Radisavljevic, Aleksandra Rađenović, Jacopo Brivio · Nature Nanotechnology · 2011
Van der Waals heterostructures
被引 10,803A. K. Geim, I. V. Grigorieva · Nature · 2013
按被引量排序，此处列出前 3 条