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Multidimensional device architectures for efficient power electronics

Yuhao Zhang, Florin Udrea, Han Wang

Virginia Tech　University of Cambridge　University of Southern California

来源Nature Electronics

年份2022

DOI10.1038/s41928-022-00860-5

原文https://doi.org/10.1038/s41928-022-00860-5

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Google Scholar 与 OpenAlex 的被引统计范围不同，数值存在差异属正常。

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学术脉络

学科主题

工程

Silicon Carbide Semiconductor Technologies

Semiconductor materials and devices · Ga2O3 and related materials

参考文献 112

Silicon carbide: A unique platform for metal-oxide-semiconductor physics

Gang Liu, Blair Tuttle, Sarit Dhar · Applied Physics Reviews · 2015

被引 290

Theoretical limits of superjunction considering with charge imbalance margin

Wataru Saito · 2015

被引 33

MBE growth of high conductivity single and multiple AlN/GaN heterojunctions

Yu Cao, Kejia Wang, Guowang Li · Journal of Crystal Growth · 2010

被引 61

此处列出前 3 条

引用本文 225

Stability, Reliability, and Robustness of GaN Power Devices: A Review

Joseph P. Kozak, Ruizhe Zhang, Matthew Porter · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023

被引 427

An avalanche-and-surge robust ultrawide-bandgap heterojunction for power electronics

Feng Zhou, Hehe Gong, Ming Xiao · Nature Communications · 2023

被引 186

Thermal management and packaging of wide and ultra-wide bandgap power devices: a review and perspective

Yuan Qin, Benjamin Albano, Joseph Spencer · Journal of Physics D Applied Physics · 2023

被引 182

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Google Scholar 与 OpenAlex 的被引统计范围不同，数值存在差异属正常。