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Yttrium-doping-induced metallization of molybdenum disulfide for ohmic contacts in two-dimensional transistors
Jianfeng Jiang, Lin Xu, Luojun Du, Lü Li, Guangyu Zhang, Chenguang Qiu, Lian‐Mao Peng
Peking University Chinese Academy of Sciences Institute of Physics
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逐年被引趋势
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关键指标
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被引次数 · OpenAlex
18.28
领域内被引倍数
同类平均 = 1
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引用位次
同领域 · 同年份 · 同类型
同领域 · 同年份 · 同类型
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参考文献
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学术脉络
学科主题
材料 / 化学2D Materials and Applications
Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design · Semiconductor materials and interfaces
参考文献 59
An Improved Virtual-Source-Based Transport Model for Quasi-Ballistic Transistors—Part I: Capturing Effects of Carrier Degeneracy, Drain-Bias Dependence of Gate Capacitance, and Nonlinear Channel-Access Resistance
被引 67Shaloo Rakheja, Mark Lundstrom, D.A. Antoniadis · IEEE Transactions on Electron Devices · 2015
10 nm nominal channel length MoS2 FETs with EOT 2.5 nm and 0.52 mA/µm drain current
被引 21L. Yang, R. T. P. Lee, Sunil Satish Rao · Conference digest · 2015
Phase patterning for ohmic homojunction contact in MoTe 2
被引 1,182Suyeon Cho, Sera Kim, Sera Kim · Science · 2015
此处列出前 3 条
引用本文 199
Large-Area Epitaxial Growth of Transition Metal Dichalcogenides
被引 128Guodong Xue, Biao Qin, Chaojie Ma · Chemical Reviews · 2024
Vapour-phase deposition of two-dimensional layered chalcogenides
被引 114Tianyi Zhang, Jiangtao Wang, Peng Fei Wu · Nature Reviews Materials · 2023
Spintronic Devices upon 2D Magnetic Materials and Heterojunctions
被引 108Zhiyan Jia, Mengfan Zhao, Qian Chen · ACS Nano · 2025
按被引量排序，此处列出前 3 条