研究论文
High-transconductance molybdenum disulfide top-gate transistors using epitaxial interface engineering
Yuan-Chun Su, Po‐Sen Mao, Chih-Yao Shih, Shih-Ting Wang, Yun-Yang Shen, Zih-Siang Jian, Hsiang-Chi Hu, Wei-Chen Tseng 等 21 位
National Yang Ming Chiao Tung University Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (Taiwan) National Taiwan University National Institutes of Applied Research
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学术脉络
学科主题
材料 / 化学2D Materials and Applications
Ferroelectric and Negative Capacitance Devices · Semiconductor materials and devices
参考文献 59
10 nm nominal channel length MoS<sub>2</sub> FETs with EOT 2.5 nm and 0.52 mA/µm drain current
被引 20Yang Li, R.T.P. Lee, Sunil Satish Rao · 2015
15-nm channel length MoS<inf>2</inf> FETs with single- and double-gate structures
被引 35Amirhasan Nourbakhsh, Ahmad Zubair, Shengxi Huang · 2015
The integration of high-k dielectric on two-dimensional crystals by atomic layer deposition
被引 172Han Liu, Kun Xu, Xujie Zhang · Applied Physics Letters · 2012
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