研究论文
Direct identification of <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"> <mml:msub> <mml:mi>V</mml:mi> <mml:mi mathvariant="normal">N</mml:mi> </mml:msub> </mml:math> -H defects in <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"> <mml:mi>p</mml:mi> </mml:math> -GaN under electrical bias and elevated temperature
Xuan Liu, E Zhou, Xuelin Yang, Tai-Qiao Liu, Ying-Ming Song, Yang Han, Ke-Xin Zhang, Zhao-Hua Shen 等 18 位
Peking University Integrated Optoelectronics (Norway) Wuhan University King University
来源Physical review. B./Physical review. B
年份2026
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First-principles calculations of the ferroelastic transition between rutile-type and<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mtext>CaCl</mml:mtext></mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:msub></mml:mrow></mml:math>-type<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mtext>SiO</mml:mtext></mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:msub></mml:mrow></mml:math>at high pressures
被引 5,471Atsushi Togo, Fumiyasu Oba, Isao Tanaka · Physical Review B · 2008
Identification of hydrogen configurations in<i>p</i>-type GaN through first-principles calculations of vibrational frequencies
被引 58Sukit Limpijumnong, John E. Northrup, Chris G. Van de Walle · Physical review. B, Condensed matter · 2003
Theoretical description of H behavior in GaN p-n junctions
被引 41S. M. Myers, Alan Wright · Journal of Applied Physics · 2001
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