研究论文
Direct identification of V N -H defects in p -GaN under electrical bias and elevated temperature
Xuan Liu, E Zhou, Xuelin Yang, Tai-Qiao Liu, Ying-Ming Song, Yang Han, Ke-Xin Zhang, Zhao-Hua Shen 等 18 位
Peking University Integrated Optoelectronics (Norway) Wuhan University King University
来源Physical review. B./Physical review. B
年份2026
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学术脉络
学科主题
物理GaN-based semiconductor devices and materials
Photocathodes and Microchannel Plates · Ga2O3 and related materials
参考文献 50
First-principles calculations of the ferroelastic transition between rutile-type and CaCl 2 -type SiO 2 at high pressures
被引 5,501Atsushi Togo, Fumiyasu Oba, Isao Tanaka · Physical Review B · 2008
Identification of hydrogen configurations inp-type GaN through first-principles calculations of vibrational frequencies
被引 58Sukit Limpijumnong, John E. Northrup, Chris G. Van de Walle · Physical review. B, Condensed matter · 2003
Theoretical description of H behavior in GaN p-n junctions
被引 41S. M. Myers, Alan Wright · Journal of Applied Physics · 2001
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