研究论文

Role of Interlayer and Interfacial Traps in Endurance Degradation of FeFETs

Zuowei Zhang, Yuanquan Huang, Junshuai Chai, Xiaolei Wang, Zhicheng Wu, Tiancheng Gong, Qing Luo

Chinese Academy of Sciences

来源IEEE Electron Device Letters

年份2026

DOI10.1109/led.2026.3706090

原文https://doi.org/10.1109/led.2026.3706090

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Ferroelectric and Negative Capacitance Devices

Semiconductor materials and devices · Magnetic properties of thin films

参考文献 29

First-Principles Calculations of Luminescence Spectrum Line Shapes for Defects in Semiconductors: The Example of GaN and ZnO

Audrius Alkauskas, John L. Lyons, Daniel Steiauf · Physical Review Letters · 2012

被引 271

Ferroelectricity in hafnium oxide: CMOS compatible ferroelectric field effect transistors

T. S. Böscke, Johannes Müller, D. Bräuhaus · 2011

被引 353

A Study of Endurance Issues in HfO<sub>2</sub>-Based Ferroelectric Field Effect Transistors: Charge Trapping and Trap Generation

Nanbo Gong, Tso‐Ping Ma · IEEE Electron Device Letters · 2017