研究论文
Exploiting the Polymorphic Nature of Ga 2 O 3 for High-Performance Sn δ-Doped Power MOSFETs via Multiple Single-Crystalline Layers Engineering
Hao-Chun Hung, Fang‐Yu Hsu, Chien-Sheng Cheng, Chun-Chia Lin, Kai-Ting Chang, Lin Sm, Rong-Ming Ko, Han-Yin Liu 等 10 位
National Cheng Kung University National Sun Yat-sen University Feng Chia University
来源IEEE Electron Device Letters
年份2026
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学术脉络
学科主题
材料 / 化学Ga2O3 and related materials
GaN-based semiconductor devices and materials · Semiconductor materials and devices
参考文献 25
On the c-Si surface passivation mechanism by the negative-charge-dielectric Al2O3
被引 542Bram Hoex, J. J. H. Gielis, M. C. M. van de Sanden · Journal of Applied Physics · 2008
Stabilizing the metastable γ phase in Ga2O3 thin films by Cu doping
被引 45Qi Liu, Daoyou Guo, Kai Chen · Journal of Alloys and Compounds · 2017
Recessed-Gate Enhancement-Mode $\beta $ -Ga2O3 MOSFETs
被引 267Kelson D. Chabak, Jonathan P. McCandless, Neil A. Moser · IEEE Electron Device Letters · 2017
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