研究论文

Buried V-Pit Templates for 20.3% Peak EQE at 640 nm in InGaN Red LEDs

Kun Xing, Junhan Cai, Zhuang Ru, Chenxue Li, Liangyao Lin, Xiaoping Yang, Xing Chen, Yimeng Sang 等 10 位

Hefei University of Technology　Nanjing University

来源IEEE Electron Device Letters

年份2026

DOI10.1109/led.2026.3714816

原文https://doi.org/10.1109/led.2026.3714816

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学术脉络

学科主题

物理

GaN-based semiconductor devices and materials

Semiconductor Quantum Structures and Devices · ZnO doping and properties

参考文献 31

Manipulation of nanoscale V-pits to optimize internal quantum efficiency of InGaN multiple quantum wells

Chiao‐Yun Chang, Heng Li, Yang-Ta Shih · Applied Physics Letters · 2015

被引 61

Origin of the “green gap”: Increasing nonradiative recombination in indium‐rich GaInN/GaN quantum well structures

Torsten Langer, Andreas Kruse, Fedor Alexej Ketzer · Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews/Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics · 2011

被引 119

Suppression of Nonradiative Recombination by V-Shaped Pits in GaInN/GaN Quantum Wells Produces a Large Increase in the Light Emission Efficiency

A. Hangleiter, F. Hitzel, Carsten Netzel · Physical Review Letters · 2005

被引 408

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