研究论文
A 3-D Stackable 1T2C DRAM With Sidewall Storage Capacitors for High-Density Memory
Ruifeng Tang, Xuedong Zhao, Chuanli Zhang, Xun Yu, Guangxiang Fan, Yifan Zhang, Pengfei Jiang, Xiao Long 等 14 位
Institute of Microelectronics
来源IEEE Electron Device Letters
年份2026
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学术脉络
学科主题
工程Semiconductor materials and devices
3D IC and TSV technologies · Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
参考文献 18
Technology Scaling Challenge and Future Prospects of DRAM and NAND Flash Memory
被引 124Sung-Kye Park · IEEE International Memory Workshop (IMW) · 2015
Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors
被引 7,510Kenji Nomura, Hiromichi Ohta, Akihiro Takagi · Nature · 2004
Present status of amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors
被引 1,964Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Hideo Hosono · Science and Technology of Advanced Materials · 2010
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