研究论文
PDA-Processed Hafnium-Based Capacitors With Ultrahigh- k (~81) Enabled by Capping Layers for Capacitive Memory Applications
Xingcan Guo, Lei Wang, Kangli Xu, Chao Wu, Ruihong Yuan, Aolin Yuan, Hao Zhu, Qingqing Sun 等 12 位
Fudan University
来源IEEE Electron Device Letters
年份2026
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学术脉络
学科主题
工程Semiconductor materials and devices
Ferroelectric and Negative Capacitance Devices · Advanced Memory and Neural Computing
参考文献 26
Equivalent Oxide Thickness (EOT) Scaling With Hafnium Zirconium Oxide High-κ Dielectric Near Morphotropic Phase Boundary
被引 44Kai Ni, Atanu Kumar Saha, Wriddhi Chakraborty · Technical digest - International Electron Devices Meeting/Technical digest · 2019
Non-volatile, small-signal capacitance in ferroelectric capacitors
被引 53Yuan-Chun Luo, Jae Hyun Hur, Panni Wang · Applied Physics Letters · 2020
Method to Achieve the Morphotropic Phase Boundary in Hf x Zr 1−x O 2 by Electric Field Cycling for DRAM Cell Capacitor Applications
被引 66Seongho Kim, Seung Hwan Lee, Min Ju Kim · IEEE Electron Device Letters · 2021
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