研究论文
Trap-Limited Switching Dynamics of Gallium Nitride Photoconductive Semiconductor Switches
Xianghong Yang, Yating Wang, Long Hu, Jia Huang, Xin Li
Ningxia University Xi'an Jiaotong University
来源IEEE Photonics Technology Letters
年份2026
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学术脉络
学科主题
物理GaN-based semiconductor devices and materials
Pulsed Power Technology Applications · Silicon Carbide Semiconductor Technologies
参考文献 22
High voltage bulk GaN-based photoconductive switches for pulsed power applications
被引 50Jacob H. Leach, Robert A. Metzger, Edward A. Preble · Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering/Proceedings of SPIE · 2013
The effect of thermal reactor neutron irradiation on semi-insulating GaN
被引 9Jie Ming Qiu, Evan J. Katz, Chung-Han Lin · Radiation effects and defects in solids · 2013
Properties of Fe-doped, thick, freestanding GaN crystals grown by hydride vapor phase epitaxy
被引 28Alexander Y. Polyakov, N. B. Smirnov, Anatoliy V. Govorkov · Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures Processing Measurement and Phenomena · 2007
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