研究论文
Impact of CnRX Structures Within Stacked Flip-Flops on Increased SEU Sensitivity at 22-nm FD-SOI Node and Hardening Methodology
Tongde Li, Yuanzhang Zhao, Jing-Shuang Yuan, Liang Wang, Yong-Qin Zhu, YU Chun-qing
Chinese Academy of Sciences China Aerospace Science and Technology Corporation Beijing Microelectronics Technology Institute
来源IEEE Transactions on Nuclear Science
年份2026
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学术脉络
学科主题
工程Integrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis
Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design · VLSI and Analog Circuit Testing
参考文献 23
Transient Radiation Effects in SOI Memories
被引 76G. E. Davis, L.R. Hite, T.G.W. Blake · IEEE Transactions on Nuclear Science · 1985
High-Performance Ultrathin Body c-SiGe Channel FDSOI pMOSFETs Featuring SiGe Source and Drain: $V_{\rm th}$ Tuning, Variability, Access Resistance, and Mobility Issues
被引 20A. Villalon, C. Le Royer, Sorin Cristoloveanu · IEEE Transactions on Electron Devices · 2013
Single-event charge enhancement in SOI devices
被引 93Lloyd W. Massengill, E.V. Kerns, Sherra E. Kerns · IEEE Electron Device Letters · 1990
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