研究论文
Mitigation of Dopant Deactivation in Heavily Phosphorus-Doped Silicon via Nitrogen Co-Implantation
Chang-Shan Shen, Wei-Chi Aeneas Hsu, Ming-Chun Hsu, Tsun‐Hsu Chang
National Tsing Hua University
来源IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
年份2026
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学术脉络
学科主题
工程Silicon and Solar Cell Technologies
Semiconductor materials and devices · Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
参考文献 38
Deactivation of phosphorus in silicon due to implanted nitrogen
被引 5Ruey‐Dar Chang, Chih‐Hung Lin · Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews/Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics · 2013
Characterization of the Depth Distribution and Electrical Activation and Deactivation of Ion Implanted Dopants in Silicon
被引 5Shu Qin · IEEE Transactions on Electron Devices · 2014
Deactivation Kinetics in Heavily Arsenic‐Doped Silicon
被引 25D. Nobili, S. Solmi, M. Merli · Journal of The Electrochemical Society · 1999
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