研究论文

Decoupling Dual Degradation Pathways in OTS Endurance for High-Reliability Selector-Only Memory

Y. S. Song, K. D. Park, Won Suk Lee, K H Lee, H. M. Yang, B. J. Koo, G. Jang, C S Lee 等 23 位

Samsung (South Korea)

年份2026

DOI10.1109/vlsitechnologyandcir65830.2026.11577611

原文https://doi.org/10.1109/vlsitechno…dcir65830.2026.11577611

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Semiconductor materials and devices · Radiation Effects in Electronics

参考文献 5

Toward ultimate nonvolatile resistive memories: The mechanism behind ovonic threshold switching revealed

Pierre Noé, Anthonin Verdy, F. D’Acapito · Science Advances · 2020

被引 157

Evaluating Ovonic Threshold Switching Materials with Topological Constraint Theory

J.C. Read, Derek A. Stewart, James W. Reiner · ACS Applied Materials & Interfaces · 2021

被引 14

Chalcogenide Ovonic Threshold Switching Selector

Zihao Zhao, Sergiu Clima, Daniele Garbin · Nano-Micro Letters · 2024

被引 90

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