研究论文
Research progress on gallium oxide material epitaxy, devices and processes
Xiaodong Zhang, Helun Song, LiXing KANG, Sunan Ding, Kai Zhang, Ting Zhang, Shishang Guo, Jiandong Ye 等 11 位
来源Chinese Science Bulletin (Chinese Version)
年份2026
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学术脉络
学科主题
材料 / 化学Ga2O3 and related materials
GaN-based semiconductor devices and materials · Semiconductor materials and devices
参考文献 87
Low frequency noise spectroscopy in MOS and Bipolar devices
被引 9J. Brini · Microelectronic Engineering · 1998
Halide vapor phase epitaxy of twin-free α-Ga2O3on sapphire (0001) substrates
被引 215Yuichi Oshima, Encarnación G. Vı́llora, Kiyoshi Shimamura · Applied Physics Express · 2015
On the bulk β-Ga2O3 single crystals grown by the Czochralski method
被引 664Zbigniew Galazka, K. Irmscher, Reinhard Uecker · Journal of Crystal Growth · 2014
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