研究论文
Recombination at surface states in GaN
M. A. Reshchikov, Paolo Visconti, K. M. Jones, H. Morkoç̌, C. W. Litton, R. J. Molnar
Virginia Commonwealth University Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Lecce MIT Lincoln Laboratory United States Air Force Research Laboratory
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逐年被引趋势
110
115
19
23
关键指标
8
被引次数 · OpenAlex
0.83
领域内被引倍数
同类平均 = 1
同类平均 = 1
前 27%
引用位次
同领域 · 同年份 · 同类型
同领域 · 同年份 · 同类型
9
参考文献
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学术脉络
学科主题
物理GaN-based semiconductor devices and materials
Ga2O3 and related materials · Photocathodes and Microchannel Plates
参考文献 9
Unpinned behavior of the surface Fermi level of GaN detected by photoreflectance spectroscopy
被引 33U. Behn, A. Thamm, O. Brandt · Journal of Applied Physics · 2000
Blue photoluminescence activated by surface states in GaN grown by molecular beam epitaxy
被引 31M. A. Reshchikov, Paolo Visconti, H. Morkoç · Applied Physics Letters · 2001
Nitride layers on GaAs(110) surfaces
被引 31D. Troost, H. Baier, Andreas Berger · Surface Science · 1991
此处列出前 3 条
引用本文 8
Comprehensive characterization of hydride VPE grown GaN layers and templates
被引 163H. Morkoç̌ · Materials Science and Engineering R Reports · 2001
Effect of ambient on photoluminescence from GaN grown by molecular-beam epitaxy
被引 20M. Zafar Iqbal, M. A. Reshchikov, Lei He · Journal of Electronic Materials · 2003
Study of GaN Dual-Drain Magnetic Sensor Performance at Elevated Temperatures
被引 11Bethan R. Thomas, Soroush Faramehr, Dwight Moody · IEEE Transactions on Electron Devices · 2019
按被引量排序，此处列出前 3 条